PHD21N06LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD21N06LT (NXP.)	1 199	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD21N06LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD21N06LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS (tm) transistor Logic level FET

Производитель:
NXP

PHD21N06LT datasheet
114.3 Кб