PSMN038-100K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN038-100K (NXP.)	18	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN038-100K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 5.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1740pF @ 25V
Power - Max	3.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN038 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor

Также в этом файле: PSMN038-100K

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PSMN038-100K datasheet
252.47Kb
13стр.