STS3C2F100


Купить STS3C2F100 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STS3C2F100 MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики STS3C2F100

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSTripFET™
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs145 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds460pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


STS3C2F100 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход