NTHC5513T1


Купить NTHC5513T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHC5513T1 MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Версия для печати

Технические характеристики NTHC5513T1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 20/Aug/2008
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.9A, 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTHC5513T1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход