STB200N4F3

Версия для печати

Технические характеристики STB200N4F3

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 80A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5100pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB200N4F3 (MOSFET)

N-channel 40V - 0.0035? - 120A - D2PAK planar STripFET™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB200N4F3 datasheet
317.7 Кб