HAT2167H-EL-E


Купить HAT2167H-EL-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HAT2167H-EL-E MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Версия для печати

Технические характеристики HAT2167H-EL-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2700pF @ 10V
Power - Max20W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-100, SOT-669
КорпусLFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


HAT2167H-EL-E datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход