HAT2168N-EL-E


Купить HAT2168N-EL-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HAT2168N-EL-E MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
Версия для печати

Технические характеристики HAT2168N-EL-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1730pF @ 10V
Power - Max15W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerSOIC (0.156", 3.95mm)
Корпус8-LFPAK-iV
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


HAT2168N-EL-E datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход