IPD038N04N G


Купить IPD038N04N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD038N04N G MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Версия для печати

Технические характеристики IPD038N04N G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 90A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C90A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4500pF @ 20V
Power - Max94W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPD038N04N G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход