SI7358ADP-T1-E3


Купить SI7358ADP-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7358ADP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI7358ADP-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 23A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4650pF @ 15V
Power - Max1.9W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7358ADP-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход