IPB77N06S3-09


Купить IPB77N06S3-09 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB77N06S3-09 MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPB77N06S3-09

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8 mOhm @ 39A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C77A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 55µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5335pF @ 25V
Power - Max107W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPB77N06S3-09 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход