IPBH6N03LA


Купить IPBH6N03LA ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPBH6N03LA MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IPBH6N03LA

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs19nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2390pF @ 15V
Power - Max71W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO-263
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPBH6N03LA datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход