IPS06N03LZ G


Купить IPS06N03LZ G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPS06N03LZ G MOSFET N-CH 25V 50A IPAK MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики IPS06N03LZ G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2653pF @ 15V
Power - Max83W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусPG-TO251-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход