SPB80N06S2-09


Купить SPB80N06S2-09 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPB80N06S2-09 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики SPB80N06S2-09

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3140pF @ 25V
Power - Max190W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусP-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SPB80N06S2-09 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход