NTD18N06-1G


Купить NTD18N06-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD18N06-1G MOSFET N-CH 60V 18A IPAK MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD18N06-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 03/Apr/2007
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds710pF @ 25V
Power - Max55W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD18N06-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход