Si4511DY-T1-E3


Купить SI4511DY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si4511DY-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI4511DY-T1-E3 (SILICONIX.) 167 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики Si4511DY-T1-E3

Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.2A, 4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход