HUF75329D3ST
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UltraFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 65nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1060pF @ 25V |
| Power - Max | 128W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HUF75329D3 (N-канальные транзисторные модули) 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs Также в этом файле: HUF75329D3ST
Производитель:
|
