IRL640A
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=200V, Id=18A@T=25C, Id=11.4A@T=100C, Rds=0.18 R, P=110W, -55 to +150C), логический уровень включателя
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1705pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL640A (MOSFET) Advanced Pover MOSFET
Производитель:
|
