MGSF1N02LT1G
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 750mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.2A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 125pF @ 5V |
| Power - Max | 400mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
