IRF7663TR
P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=8.2A@T=25C, Id=6.6A@T=70C, Rds=0.02 R@Vgs=4.5V, P=1.8W, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2520pF @ 10V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
