BSP297

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSP297	269	90.00

Версия для печати

Технические характеристики BSP297

Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 660mA, 10v
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	660mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	357pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.