В декабре 2024 года ведущие компании по производству чипов сообщали об исследованиях направленных на создание 2Д транзисторов с целью уменьшения в тысячи раз энергопотребления, повышения производительности и уменьшения размеров . Исследования Cdimension позволили разработать технологию получения нового материала MoS2 (полупроводник n-типа) с двухмерной структурой при достаточно низкой температуре для совместимости с процессами производства кремния, что позволяет выращивать структуру прямо на пластине из кремния. Данная технология позволяет первести исследования в стадию промышленной разработки и в конечном итоге позволит заменить CMOS чипы и создать многоярусные 3Д элементы.

           Ученые СПбГУ разработали технологию получения материала из гидрохинона и полимера способного «хранить» электроны. Новый подход в области накопления энергии позволит создать альтернативу самым распространенным литий полимерным аккумуляторам.