|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
41.96
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.00 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.00V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.00 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.00V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
37.84
|
|
|
|
LM809M3-4.38 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.38V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.38 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.38V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.76
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.00 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.00 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.00 |
|
|
|
|
38.40
|
|
|
|
LM810M3-4.38 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.38 |
|
|
|
|
37.72
|
|
|
|
LM810M3-4.38 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.38 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
40.12
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM810M3-4.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM8272MM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM8272MM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM8272MM |
|
|
|
|
263.88
|
|