| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-B82498-F 12NH 5% |
|
|
|
12
|
64.00
|
|
|
|
|
0805-LQW2BHN 22NH 5% |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
0805-LQW2BHN 22NH 5% |
|
|
|
308
|
42.40
|
|
|
|
|
0603CS-18NXJBG |
|
|
COILCRAFT
|
|
|
|
|
|
|
0603CS-18NXJBG |
|
|
|
|
31.68
|
|
|
|
|
0603CS-R10XJBC |
|
|
COILCRAFT
|
|
|
|
|
|
|
0603CS-R10XJBC |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
0603CS-R10XJBC |
|
|
COILCRAFT
|
|
|
|
|
|
|
0603CS-R10XJBC |
|
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
CW201212-68NJ |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
CW201212-68NJ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CW201212-68NJ |
|
|
BOURNS
|
110 080
|
|
|
|
|
|
CW201212-R15J |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
CW201212-R15J |
|
|
|
|
51.20
|
|
|
|
|
CW201212-R15J |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
IMC-181247UH5R13 |
|
|
DALE
|
|
|
|
|
|
|
IMC-181247UH5R13 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IMC-181247UH5R13 |
|
|
DALE
|
|
|
|
|
|
|
0603 WL 390 2% |
|
|
AMERICAN TECHNICAL CERAMICS
|
|
|
|
|
|
|
0603 WL 390 2% |
|
|
|
|
24.44
|
|
|
|
|
BLM11A102SPT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IMC1812ER101K |
|
|
|
|
76.00
|
|
|
|
|
IMC1812ER101K |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
2220-LQH55D 470UH 20% |
|
|
|
|
167.60
|
|
|
|
|
0805-39NH/500MA 10% |
|
|
|
|
34.40
|
|
|
|
|
CV201210-100K |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CV201210-100K |
|
|
BOURNS
|
1
|
4.16
|
|
|
|
|
0805-CE201210-12NJ |
|
|
|
|
21.60
|
|
|
|
|
0805-CE201210-27NJ |
|
|
|
|
21.60
|
|
 |
 |
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
|
|
18.12
|
|
|
|
|
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
LPS3015-222ML |
|
Чип индуктивность 2.2мкГн, 0.11Ом, 110МГц, Ток катушки 1.1 ... 1.4А
|
COIL
|
|
|
|
|
|
|
LPS3015-222ML |
|
Чип индуктивность 2.2мкГн, 0.11Ом, 110МГц, Ток катушки 1.1 ... 1.4А
|
|
|
|
|
|
|
|
CDRH103RNP-100NC-B |
|
Индуктивность чип на феррите 10мкГн, 59мкОм, Ток катушки 3.18А
|
SUMIDA
|
6 997
|
61.10
|
|
|
|
|
CDRH103RNP-100NC-B |
|
Индуктивность чип на феррите 10мкГн, 59мкОм, Ток катушки 3.18А
|
|
|
|
|
|
|
|
SDR1006-3R9ML |
|
Индуктивность неэкранированная для SMD монтажа 3.9мкГн, 20%, 4.6А
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
SDR1006-3R9ML |
|
Индуктивность неэкранированная для SMD монтажа 3.9мкГн, 20%, 4.6А
|
|
|
|
|
|
|
|
SDR1006-3R9ML3.9UHM |
|
Индуктивность неэкранированная для SMD монтажа 3.9мкГн, 20%, 4.6А
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
CDRH5D28NP-330NC |
|
Индуктивность чип 33мкФ, 750мА, 189мОм
|
SUMIDA
|
8 456
|
32.44
|
|
|
|
|
CDRH5D28NP-330NC |
|
Индуктивность чип 33мкФ, 750мА, 189мОм
|
|
|
61.20
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
CDRH64BNP-331MC |
|
SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
CDRH64BNP-331MC |
|
SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА
|
|
|
|
|
|
