| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
M27C322-100F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M27C322-100F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
M27C322-100F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
M27C322-100F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M27C322-100F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием 32Mbit (2M x 16bit), 100ns, Vcc=5.0V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
 |
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
|
|
243.20
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-12F1 |
|
ИМС EPROM 64KX8 120нс DIL28 UВ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-90F6 |
|
UV EPROM 5V 64Kx8 90ns FDIP28W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-90F6 |
|
UV EPROM 5V 64Kx8 90ns FDIP28W
|
|
|
307.80
|
|
|
|
|
M27C512-90F6 |
|
UV EPROM 5V 64Kx8 90ns FDIP28W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M27C512-90F6 |
|
UV EPROM 5V 64Kx8 90ns FDIP28W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
|
|
707.32
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-100F6 |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-80F1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C801-80F1 |
|
|
|
|
920.28
|
|
|
|
|
M27C801-80F1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M48Z18-100PC1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z18-100PC1 |
|
|
|
|
1 735.72
|
|
|
|
|
M48Z18-100PC1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M48Z18-100PC1 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-75 |
|
|
MICRON
|
64
|
251.90
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-75 |
|
|
|
|
230.56
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-75 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2P |
|
I2C EEPROM 256B
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2P |
|
I2C EEPROM 256B
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2P |
|
I2C EEPROM 256B
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2P |
|
I2C EEPROM 256B
|
|
|
115.88
|
|
|
|
|
PCF8582C-2T |
|
ИМС EMI2C EEPROM 256B SO8
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2T |
|
ИМС EMI2C EEPROM 256B SO8
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2T |
|
ИМС EMI2C EEPROM 256B SO8
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2T |
|
ИМС EMI2C EEPROM 256B SO8
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PCF8582C-2T |
|
ИМС EMI2C EEPROM 256B SO8
|
|
|
145.68
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
408
|
472.32
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
