| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SC3169 |
|
Биполярный транзистор
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2SC3169 |
|
Биполярный транзистор
|
КИТАЙ
|
8
|
137.70
|
|
|
|
|
2SD1148 |
|
|
TOSHIBA
|
40
|
295.80
|
|
|
|
|
2SD1148 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2SD1148 |
|
|
|
|
216.00
|
|
|
|
|
2SD1148 |
|
|
КИТАЙ
|
4
|
295.80
|
|
 |
 |
2SK2466 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK2466 |
|
|
|
|
180.00
|
|
|
|
|
2SK2466 |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SC5143 |
|
NPN+D hi-res, 1700V, 10A, 50W
|
|
|
400.00
|
|
|
|
|
2SC5143 |
|
NPN+D hi-res, 1700V, 10A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TT2206 |
|
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
TT2206 |
|
|
|
|
191.40
|
|
|
|
|
TT2206 |
|
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
TT2206 |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TT2206 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MRF422 |
|
|
|
|
7 720.00
|
|
|
|
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
|
|
7.20
|
|
|
|
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
IRGP440U |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP440U |
|
|
|
|
750.00
|
|
|
|
|
IRGP440U |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
BSM25GD120DN2E3224 |
|
|
|
|
14 026.00
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
|
2
|
252.00
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
|
|
137.00
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MIT
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
9 038.96
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
|
|
481.52
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUPERTEX
|
|
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUP
|
|
|
|
