| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
|
|
61.20
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIRCHILD
|
26
|
168.30
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
ONS
|
1
|
94.46
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 TO220 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 TO220 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06-NL |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06-NL |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06-NL |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06R4747 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06R4747 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
SI4896DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SI4896DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
153.96
|
|
|
|
|
SI4896DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
72.08
|
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
|
|
509.00
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
2
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
STP11NM60 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP11NM60 |
|
Полевой транзистор
|
|
|
272.64
|
|
|
|
|
STP11NM60 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP3NK80Z |
|
Полевой транзистор N-Канальный 800V 2,5A 70W 4,5R
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP3NK80Z |
|
Полевой транзистор N-Канальный 800V 2,5A 70W 4,5R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP3NK80Z |
|
Полевой транзистор N-Канальный 800V 2,5A 70W 4,5R
|
|
|
90.60
|
|
|
|
|
STP3NK80Z |
|
Полевой транзистор N-Канальный 800V 2,5A 70W 4,5R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB100 |
|
Полевой транзистор N-канальный ( 1000V - 4W - 3.8A)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB100 |
|
Полевой транзистор N-канальный ( 1000V - 4W - 3.8A)
|
|
|
279.12
|
|
|
|
|
STP4NB100 |
|
Полевой транзистор N-канальный ( 1000V - 4W - 3.8A)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80 |
|
Полевой транзистор
|
|
2
|
254.40
|
|
|
|
|
STP4NB80 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP50NE08 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP50NE08 |
|
Полевой транзистор
|
|
|
289.60
|
|
|
|
|
STP50NE08 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP50NE10 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP50NE10 |
|
Полевой транзистор
|
|
|
144.76
|
|
|
|
|
STP50NE10 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
234.60
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
|
1
|
242.40
|
|
