| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
SILICONIX
|
60
|
|
|
|
|
|
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
158.68
|
|
|
|
|
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
FAIRCHILD
|
107
|
|
|
|
|
|
SI4874DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SI4946EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SI4946EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
95.08
|
|
|
|
|
SI4948EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SI4948EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
125.16
|
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
5 669.88
|
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SEMICRON
|
33
|
6 400.00
|
|
|
|
|
SKM150GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM150GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
8 134.20
|
|
|
|
|
SKM191FC |
|
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM191FC |
|
|
|
|
12 452.00
|
|
|
|
|
SKM200GB123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM200GB123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
14 966.52
|
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
|
|
15 151.60
|
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.88
|
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SSP3N80(A) |
|
Полевой транзистор
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SSP3N80(A) |
|
Полевой транзистор
|
|
|
164.52
|
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
|
|
79.68
|
|
|
|
|
SST310 |
|
Полевой транзистор управляемый p-n переходом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SST310 |
|
Полевой транзистор управляемый p-n переходом
|
|
|
8.60
|
|
|
|
|
STD4NB40 |
|
Транзистор полевой SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STD4NB40 |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
169.24
|
|
|
|
|
STD5NB30 |
|
Транзистор полевой SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STD5NB30 |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
158.80
|
|
|
|
|
STD7NB20 |
|
Транзистор полевой SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STD7NB20 |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
203.44
|
|
|
|
|
STD7NB20 |
|
Транзистор полевой SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP3NB80 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP3NB80 |
|
Полевой транзистор
|
|
|
187.64
|
|
 |
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP5NB100 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP5NB100 |
|
Полевой транзистор
|
|
|
279.64
|
|
