| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2SA1266 |
|
PNP 50V, 0.15A, 0.4W, 130MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
 |
IRGP440U |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP440U |
|
|
|
|
750.00
|
|
|
|
|
IRGP440U |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
BSM25GD120DN2E3224 |
|
|
|
|
14 026.00
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
|
2
|
252.00
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
BUZ91A |
|
Транзистор полевой
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
|
|
137.00
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MIT
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
FS7KM-16A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
SKM100GB125DN |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
9 038.96
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
TCM80A |
|
Полевой транзистор
|
|
|
481.52
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUPERTEX
|
|
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUP
|
|
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
153.28
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TN2524N8-G |
|
Полевой транзистор SMD
|
MICRO CHIP
|
156
|
|
|
|
|
|
TN2540N8 |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUPERTEX
|
|
|
|
|
|
|
TN2540N8 |
|
Полевой транзистор SMD
|
SUP
|
|
|
|
|
|
|
TN2540N8 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
206.04
|
|
|
|
|
2SB1481 |
|
|
|
|
160.00
|
|
|
|
|
2SC3858 |
|
Транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 17A, 200W, 20MHz (Comp. 2SA1494)
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
2SC3858 |
|
Транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 17A, 200W, 20MHz (Comp. 2SA1494)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
2SC3858 |
|
Транзистор NPN Hi-Fi, 200V, 17A, 200W, 20MHz (Comp. 2SA1494)
|
|
|
563.20
|
|
|
|
|
2T6551 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2T6551 |
|
|
БОЛГАРИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2T6551 |
|
|
TESLA
|
|
|
|
|
|
|
2T6821 |
|
|
|
16
|
88.00
|
|
|
|
|
2T6821 |
|
|
MEB
|
2
|
76.00
|
|
|
|
|
BF964S |
|
|
|
4
|
108.00
|
|
|
|
|
BF964S |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BF964S |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
RD30HVF1-101 |
|
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
