| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
STGW35HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 35а, 600в
|
|
|
444.40
|
|
|
|
|
STGW35HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 35а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW35HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 35а, 600в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW40N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW40N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW40N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW40N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
7
|
440.82
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
|
|
1 024.64
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
США
|
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SGH30N60RUFDTU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SGH30N60RUFDTU |
|
|
|
|
1 540.00
|
|
|
|
|
SGH30N60RUFDTU |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
|
|
5 296.00
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
HGT1S20N60C3S9A |
|
|
|
|
940.00
|
|
|
|
|
HGT1S20N60C3S9A |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
|
|
996.16
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
IRG4IBC20FDPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 304
|
353.17
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
452
|
212.98
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
452
|
212.98
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
