|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
489.60
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
|
1
|
511.20
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
380.84
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
|
|
|
|
STGP20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGP20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
|
|
260.00
|
|
|
|
STGP20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
496.08
|
|
|
|
IRG4PC50KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF |
|
IGBT 900В 51А 100кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
36
|
377.85
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF |
|
IGBT 900В 51А 100кГц
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF |
|
IGBT 900В 51А 100кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
|
|
480.00
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IXGR40N60C2D1 |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXGR40N60C2D1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
|
|
1 109.60
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB40LZ |
|
Igbt-транзистор на 410 в, 20 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60S |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 10 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|