|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-16,235 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BC817-16,235 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BC817-16-TP |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16-TP |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
9
|
1.62
|
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
|
|
|
|
|
BC817-16.215 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-16/T1 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
|
3.60
|
|
|
|
BC817-16E6327 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-16E6327 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-16E6433 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
INFINEON
|
4 501
|
|
|
|
|
BC817-16E6433 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
BC850BW |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
1 133
|
3.01
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
102 364
|
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
ONS
|
57 886
|
2.18
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC856BLT1G |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
18 049
|
2.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
57 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 254
|
3.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.69
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
8 900
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
538 383
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|