|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
HOTTECH
|
55 658
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
SEMTECH
|
4
|
1.98
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FULIHAO TECH
|
1 920
|
8.86
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FUXIN
|
31 000
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YJ
|
211 596
|
1.21
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.10
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
JSCJ
|
257 134
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NEXPERIA
|
800
|
3.05
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
|
7 840
|
1.08
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NXP
|
8 504
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
DIOTEC
|
6 856
|
3.04
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NEX-NXP
|
640
|
10.82
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
HOTTECH
|
44 252
|
1.98
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
YJ
|
272 398
|
1.73
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
KEFAN
|
8 560
|
1.13
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.92
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
2 400
|
7.87
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
SEC
|
|
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
|
1
|
20.00
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONS
|
136
|
226.32
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
|
10
|
75.60
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
|
13 310
|
1.01
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
DC COMPONENTS
|
2 384
|
3.27
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
MCC
|
|
|
|
|