| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
MB8S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
YJ
|
133 171
|
1.68
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
DIOTEC
|
368
|
8.92
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
GALAXY ME
|
464
|
7.19
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
ONS
|
1 560
|
27.52
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
DC COMPONENTS
|
27
|
7.37
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
HOTTECH
|
337 132
|
2.11
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
SUNTAN
|
4
|
3.11
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
YANGJIE
|
54 000
|
2.81
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
YS
|
720
|
6.30
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
MB8S |
|
|
<>
|
24 000
|
1.10
|
|
 |
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
DC COMPONENTS
|
3 116
|
11.22
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
|
4 944
|
8.62
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
HOTTECH
|
5 116
|
11.99
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
RUME
|
7 200
|
6.87
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
LGE
|
4 840
|
13.22
|
|
|
|
|
W10M |
|
Диодный мост 0,5A 1000V
|
SEP
|
2 569
|
11.62
|
|
|
|
|
36MT80 |
|
Диодный мост 35A/800В 3-фазный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
36MT80 |
|
Диодный мост 35A/800В 3-фазный
|
|
|
940.00
|
|
|
|
|
36MT80 |
|
Диодный мост 35A/800В 3-фазный
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
36MT80 |
|
Диодный мост 35A/800В 3-фазный
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
DC COMPONENTS
|
34 766
|
10.81
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
|
5 240
|
4.36
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
