| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
|
8
|
3.68
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
BAS16TW-7-F |
|
|
DI
|
|
|
|
|
|
|
BAS16TW-7-F |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20 868
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
570
|
2.60
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
19 529
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
INFINEON
|
2 654
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV199/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
7 614
|
2.46
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.49
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
39 932
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
CSD20060D |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
|
CSD20060D |
|
|
|
|
3 992.00
|
|
|
|
|
CSD20060D |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
|
DHH55-36N1F |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
DSEC30-12A |
|
FRED 1200V 30A(2x15) 95W 40ns
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
FFPF06U40DN |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FFPF06U40DN |
|
|
|
|
128.00
|
|
|
|
|
FFPF10U60DN |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HFA16PA120C |
|
2UFAST диода 16А 1200В TO247
|
VISHAY
|
|
|
|
|
