|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
82CNQ030A |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
82CNQ030A |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
83CNQ100APBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
83CNQ100APBF |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
20 344
|
7.04
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 748
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
|
8
|
3.68
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BAR43SFILM |
|
2 послед диода Шоттки SMD 30V 0,1A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BAS16TW-7-F |
|
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAS16TW-7-F |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 822
|
2.76
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20 868
|
|
|
|
|
BAS70-06WFILM |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS70-07 |
|
Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа
|
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
18 786
|
5.88
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54AFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
19 529
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
INFINEON
|
2 654
|
|
|
|
|
BAV170E6327 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
4 014
|
2.24
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
26 331
|
3.48
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
466
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
CSD20060D |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
CSD20060D |
|
|
|
|
3 992.00
|
|
|