| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
MB2510 |
|
Мост 25А, 1000В
|
|
|
194.00
|
|
|
|
|
MB2510 |
|
Мост 25А, 1000В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MB2510 |
|
Мост 25А, 1000В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MB252 |
|
(KBPC2502) , мост 25А, 200В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MB252 |
|
(KBPC2502) , мост 25А, 200В
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MB252 |
|
(KBPC2502) , мост 25А, 200В
|
|
|
93.52
|
|
|
|
|
MB252 |
|
(KBPC2502) , мост 25А, 200В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
MB352 |
|
(KBPC3502) , мост 35А, 200В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MB352 |
|
(KBPC3502) , мост 35А, 200В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
MB352 |
|
(KBPC3502) , мост 35А, 200В
|
|
|
|
|
|
|
|
RB151 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
RB151 |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
RB152 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
RB152 |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
RB152 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RB155 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
RB155 |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
RB155 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RS403 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
RS403 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
87
|
36.17
|
|
|
|
|
RS403 |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
DC COMPONENTS
|
1 774
|
11.44
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
|
|
13.92
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
W02M |
|
Диодный мост 1.5А, 200В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
 |
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
74 715
|
3.38
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
35 252
|
5.28
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
7 507
|
4.21
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
