|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
4 644
|
5.84
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
29 074
|
4.92
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
14.56
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 595
|
6.89
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
10 262
|
6.16
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
GBL02 |
|
Диодный мост (V=200В, I=4.0А, Vf=1.0V@I=4.0A, Rm=5.0mm, -55 to +150C), однорядный, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
GBL02 |
|
Диодный мост (V=200В, I=4.0А, Vf=1.0V@I=4.0A, Rm=5.0mm, -55 to +150C), однорядный, ...
|
|
|
|
|
|
|
GBL02 |
|
Диодный мост (V=200В, I=4.0А, Vf=1.0V@I=4.0A, Rm=5.0mm, -55 to +150C), однорядный, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
|
|
937.60
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
|
935
|
21.12
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
LITE ON OPTO
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
KBPC3508 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBPC3508 |
|
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3508 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3508 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC3508 |
|
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
400
|
|
|
|
|
KBU4D |
|
Диодный мост
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBU4D |
|
Диодный мост
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|