|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
393 802
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
2.29
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
438 045
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
66 718
|
1.04
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
376
|
1.49
|
|
|
|
BAS21T-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAS21T-7 |
|
|
DIODES INC.
|
2 932
|
|
|
|
|
BAS21T-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAT854W |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT854W |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
1 845
|
|
|
|
|
CDBC360-G |
|
|
COMCHIP TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
DL4007 |
|
|
|
|
|
|
|
|
DL4007 |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
ВЗПП
|
52
|
91.80
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MBR750 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
|
474
|
54.00
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMI
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SM4007 |
|
SMD выпрямительный диод 1000V 1A DO213AB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM4007 |
|
SMD выпрямительный диод 1000V 1A DO213AB
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SM4007 |
|
SMD выпрямительный диод 1000V 1A DO213AB
|
DC COMPONENTS
|
71 196
|
3.69
|
|
|