|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805 15КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
0805 15КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
UNIOHM
|
|
|
|
|
|
0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
|
|
52.56
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE250CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в
|
LEIDITEH
|
3 676
|
8.80
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
19 817
|
2.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 306
|
3.24
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
421 438
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
21 726
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.68
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
10 308
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
4.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
191 475
|
1.97
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
81 600
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
KBPC5008 50A 800V (BR500) |
|
Мост 50А, 800В
|
|
176
|
121.68
|
|