2512-39КJ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC807-16,215		NXP Semiconductors
BC807-16,215		NXP/PHILIPS
BC807-16,215		NXP
BC807-16,215		NEX
BC807-16,215			4
BC807-16,215		NEX-NXP	8	4.92
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		4 320	9.98
BZX84-C5V1,215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP Semiconductors
BZX84-C5V1,215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
BZX84-C5V1,215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NEX
CR0805-FX-1001ELF		BOURNS	2 411 882	3.22
CR0805-FX-1001ELF			7
IRF540NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A	INFINEON
IRF540NSPBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.052 Ом, Id(25°C) = 33 A