2N5551


Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)

2N5551 цена 16.11 руб.  (без НДС 20%)
2N5551 NPN транзисторы разработаны для высоковольтных...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
2N5551 (ON SEMICONDUCTOR) 800 16.11 
2N5551 (DC COMPONENTS) 3 447 4.99 
2N5551 (DIOTEC) 5 102 3.79 
2N5551 9 600 1.22 
2N5551 (HOTTECH) 1 740 1.85 
2N5551 (CHINA) 9 600 1.26 

NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В    180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В    160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)    0.6
Статический коэффициент передачи тока hfe мин    30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц    300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт    0.625
Диапазон рабочих температур, оС    -65…150

Технические характеристики 2N5551

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition300MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru