2N7000BU

Версия для печати

Технические характеристики 2N7000BU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	30pF @ 25V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7000BU (MOSFET)

Advanced Small Signal MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

2N7000BU datasheet
85.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BS250	Транзистор полевой P-MOS 45В 0.25A			26.16
BS250	Транзистор полевой P-MOS 45В 0.25A	NXP
FZT1049ATA		ZTX
FZT1049ATA		ZETEX
FZT1049ATA		DI
FZT1049ATA
FZT1049ATA		Diodes/Zetex
FZT1049ATA		DIODES
MCP2551T-I/SN	Интерфейс CAN - Каналов: 1; Uпит: 4.5...5.5 В; Tраб: -40...85 °C	MICRO CHIP	388	103.28
MCP2551T-I/SN	Интерфейс CAN - Каналов: 1; Uпит: 4.5...5.5 В; Tраб: -40...85 °C		4 440	101.52
MCP2551T-I/SN	Интерфейс CAN - Каналов: 1; Uпит: 4.5...5.5 В; Tраб: -40...85 °C	Microchip Technology
MCP2551T-I/SN	Интерфейс CAN - Каналов: 1; Uпит: 4.5...5.5 В; Tраб: -40...85 °C	MICRO CHIP	2 340
NCP3065DR2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP3065DR2G
NCP3065DR2G		ONS
NCP3065DR2G		ON SEMICONDUCTO
КС680А	металл		35	54.00
КС680А	металл	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС680А	металл	НОВОСИБИРСК
КС680А	металл	СЗТП