|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
|
|
33.88
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
ISC
|
162
|
100.96
|
|
|
|
2SB688 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
|
1
|
309.96
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
|
3 488
|
42.84
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
YOUTAI
|
34 384
|
42.37
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW
|
7 760
|
63.03
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MSKSEMI
|
9 183
|
39.10
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
4 120
|
27.75
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
311.46
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
|
1
|
279.72
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INFINEON
|
|
|
|