2SJ349


Купить 2SJ349 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2SJ349
Версия для печати

Технические характеристики 2SJ349

Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2800pF @ 10V
Power - Max45W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-10R1B
КорпусTO-220NIS
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход