2SJ349
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-10R1B |
| Корпус | TO-220NIS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
