2SK1365
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16F1B |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В ОТ 200Г |
|
|
||||||
| 7812ABV (L7812ABV) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| 7812ABV (L7812ABV) |
|
|
||||||
| FNR-14K271 | FNR | 3 377 | 10.97 | |||||
| FNR-14K271 |
|
|
||||||
| FNR-14K271 | FENGHUA | 5 990 | 5.46 | |||||
 |
 |
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON | 160 | 265.68 | |
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм |
|
740.12 | ||
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
КР1157ЕН1201Б |
|
(90-97г) |
|
16.12 |
