2SK1365
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16F1B |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2РМ27БПН24Ш1В1 |
|
92 | 880.00 | ||||
|
|
2РМ27БПН24Ш1В1 |
|
ЭЛЕКОН |
|
|
|||
|
|
2РМ27БПН24Ш1В1 |
|
1 |
|
|
|||
| 2РМ27КПН24Г1В1 91 |
|
|
||||||
 |
 |
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | 4 | 306.04 | ||
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | КИТАЙ |
|
|
|
 |
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | STMicroelectronics |
|
|
|
| КТ3198ГBFR91A |
|
|
