2SK216

Версия для печати

Технические характеристики 2SK216

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики S,мА/В	40
Корпус	TO220AB
Пороговое напряжение на затворе	01.май

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB

2SK216 datasheet
33,81kB
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz			76.04
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOSHIBA
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOS
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	NO TRADEMARK
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	ISCSEMI
2SA970	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)	TOSHIBA
2SA970	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)			18.08
2SA970	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)	TOS
2SA970	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)	ROHS
2SA970	Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)	BLUEROCK	11 864	2.23
2SJ79		HITACHI
2SJ79				464.00
2SJ79		HIT
BS107ARL1G		ONS
BS107ARL1G		ON Semiconductor
BS107ARL1G
BS107ARL1G		ON SEMICONDUCTO
KTC3200	NPN 120V, 0.1A, 625mW, 100MHz (Comp. KTA1268)	KEC
KTC3200	NPN 120V, 0.1A, 625mW, 100MHz (Comp. KTA1268)		8	15.84
KTC3200	NPN 120V, 0.1A, 625mW, 100MHz (Comp. KTA1268)	КИТАЙ