Структура | N-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±15 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
Крутизна характеристики S,мА/В | 40 |
Корпус | TO220AB |
Пороговое напряжение на затворе | 01.май |
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1142 (KSA) | KEC | |||||||
2SA1142 (KSA) | FSC1 | |||||||
2SJ79 | HITACHI | |||||||
2SJ79 | 464.00 | |||||||
2SJ79 | HIT | |||||||
2SK1530 | Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201) | TOSHIBA | ||||||
2SK1530 | Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201) | TOS | ||||||
2SK1530 | Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201) | 559.64 | ||||||
2SK170 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) | TOSHIBA | ||||||
2SK170 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) | 56.00 | ||||||
2SK170 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) | TOS | ||||||
BZX55B15-TAP | VISHAY | |||||||
BZX55B15-TAP | VISHAY |
|