3314G-1-104E
Подстроечный резистор 100 кОм
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Trimpot® 3314 - Sealed |
| Сопротивление (Ом) | 100K |
| Мощность (Ватт) | 0.25W, 1/4W |
| Допустимые отклонения емкости | ±20% |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Number of Turns | Single |
| Adjustment Type | Top Adjustment |
| Resistive Material | Cermet |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Termination Style | Gull Wing |
| Корпус (размер) | Square - 0.177" L x 0.177" W x 0.100" H (4.50mm x 4.50mm x 2.54mm) |
| Tolerance | ±20% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3302X-3-504E | BOURNS |
|
|
|||||
| 3302X-3-504E | Bourns Inc |
|
|
|||||
 |
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом |
|
|
|||
| L79L05ABUTR | ST MICROELECTRONICS | 1 520 | 43.76 | |||||
| L79L05ABUTR | 810 | 26.77 | ||||||
| L79L05ABUTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L79L05ABUTR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E |
|
|
||||||
| NAND512W3A2DN6E | MICRON |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E | Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E | NUMONYX |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E | NUMONYX |
|
|
|||||
| NAND512W3A2DN6E |
|
|
||||||
 |
 |
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | 748 | 88.56 | ||
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | МИНСК | 853 | 84.00 | |
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | RUS |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | ИНТЕГРАЛ |
|
|
