4N35LITEON

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
VS-8TQ100	Диод Шоттки (U=100V, I=8A, Vf=0.72V@I=8A&T=25C, Vf=0.58V@I=8A&T=125C, -55 to +175C)	VISHAY
VS-8TQ100	Диод Шоттки (U=100V, I=8A, Vf=0.72V@I=8A&T=25C, Vf=0.58V@I=8A&T=125C, -55 to +175C)
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	151.20
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1