5P4M

Версия для печати

Технические характеристики 5P4M

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	500
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	500
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	8
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	80
Рабочая температура,С	-40…125
Особенности	запираемый
Корпус	TO220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2P4M	SCR 400V, 2A, Igt=0.2mA	NEC
2P4M	SCR 400V, 2A, Igt=0.2mA			34.00
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	FAIR
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w		1	249.48
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	ONS-FAIR
DM0365R	SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	4-7 НЕДЕЛЬ	150
IRF1405PBF	Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF1405PBF	Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	INFINEON	3 825	67.37
IRF1405PBF	Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W		508	60.10
LNBP13A		ST MICROELECTRONICS
LNBP13A		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
LNBP13A		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LNBP13A		ST1
LNBP13A			1	589.68
LNBP13A		1
LNBP13A		4-7 НЕДЕЛЬ	385
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 386	11.93
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612