|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
2 132
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM/AVAGO
|
36
|
14.76
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROAD
|
27
|
11.81
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 200
|
14.33
|
|
|
|
Д901А |
|
|
|
177
|
5.28
|
|
|
|
Д901А |
|
|
ХЕРСОН
|
99
|
12.00
|
|
|
|
Д901А |
|
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
166 345
|
5.28
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
32 781
|
1.76
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
849
|
2.00
|
|