Версия для печати

ЖКИ 16х2, англо-русский ЖКИ WH1602D-YYH-CTK datasheet 544,35kB 1стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL	17	2 164.80
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	1 817
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...		1 000	315.19
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	США
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL1
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP	71	1 216.93
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	NO NAME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 984	2.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	12 740	2.88
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	18 386	2.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	141 284	1.01
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		34 846	1.84  >100 шт.   0.92
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.93
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	11 452	1.96  >100 шт.   0.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	5.90
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	152 671	1.39
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	4 084	27.55
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 809	31.68
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 662	16.00
		MF-0.25-5.1K 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.25Вт, 5.1кОм, 1%	CHINA
		MF-0.25-5.1K 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.25Вт, 5.1кОм, 1%		1	2.84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"